FD2108M
- 概述
- FD2108M是一款半桥栅极驱动电路集成电路芯片，可用于驱动高端和低端N型功率MOSFET。高端悬浮电压高达+60V，可用于半桥拓扑。最高工作频率可达到1MHz。
FD2108M内置VCC/VBS欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。
FD2108M集成使能关断功能，能同时关断高低通道HO、LO输出。
FD2108M死区时间可调，通过调整外接电阻控制死区时间。
- 特性
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■悬浮绝对电压+60V
■电源电压：5.0V~18V
■输出电流：+5.0A/-5.0A
■tr/tf：10ns/10ns(3nF)
■3.3V/5V输入逻辑兼容
■VCC/VBS欠压保护（UVLO）
■死区时间可调
■集成使能关断功能
■高端输出与输入同相，低端输出与输入反相
- 封装
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MSOP10
- 数据手册
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